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STB22NM60N数据手册规格书PDF详情
Description
These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
STB22NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB22NM60N
- 功能描述
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-9 15:46:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
4000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
STMICROELECTRONICSSEMI |
23+ |
NA |
844 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
6005 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
|||
ST/意法半导体 |
25+ |
TO-263-3 |
4650 |
绝对原装公司现货 |
|||
ST |
1701+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
原装ST |
23+ |
TO263 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
ST |
25+23+ |
TO-263 |
28618 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
STB22NM60N 价格
参考价格：￥8.3457
型号：STB22NM60N 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STB22NM60N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB22NM60N批发/采购报价，STB22NM60N行情走势销售排排榜，STB22NM60N报价。
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