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STB13NM50N-1中文资料

厂家型号

STB13NM50N-1

文件大小

573Kbytes

页面数量

18

功能描述

N-channel 500 V - 0.250 廓 - 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK

MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STB13NM50N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB13NM50N-1

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
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