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SCTH35N65G2V-7AG中文资料

厂家型号

SCTH35N65G2V-7AG

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15

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

SCTH35N65G2V-7AG数据手册规格书PDF详情

Features

• AEC-Q101 qualified

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Low capacitance

Applications

• Switching mode power supply

• EV chargers

• DC-DC converters

Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device

features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching

performance. The variation of switching loss is almost independent of junction

temperature.

更新时间:2025-10-28 14:17:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
24+
N/A
1981
原装原装原装
STMicroelectronics
23+
H2PAK-7
3652
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ST(意法半导体)
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H2PAK-7
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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