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NAND512W3A2CZA6E中文资料

厂家型号

NAND512W3A2CZA6E

文件大小

916.59Kbytes

页面数量

57

功能描述

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

数据手册

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生产厂商

STMicroelectronics

简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

LOGO

NAND512W3A2CZA6E数据手册规格书PDF详情

SUMMARY DESCRIPTION

The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses

the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a x8 or x16 bus width.

FEATURES SUMMARY

■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES

– Up to 1 Gbit memory array

– Up to 32 Mbit spare area

– Cost effective solutions for mass storage applications

■ NAND INTERFACE

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed Address/ Data

– Pinout compatibility for all densities

■ SUPPLY VOLTAGE

– 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V

– 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V

■ PAGE SIZE

– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes

– x16 device: (256 + 8 spare) Words

■ BLOCK SIZE

– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes

– x16 device: (8K + 256 spare) Words

■ PAGE READ / PROGRAM

– Random access: 12µs (max)

– Sequential access: 50ns (min)

– Page program time: 200µs (typ)

■ COPY BACK PROGRAM MODE

– Fast page copy without external buffering

■ FAST BLOCK ERASE

– Block erase time: 2ms (Typ)

■ STATUS REGISTER

■ ELECTRONIC SIGNATURE

■ CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION

– Simple interface with microcontroller

■ SERIAL NUMBER OPTION

■ HARDWARE DATA PROTECTION

– Program/Erase locked during Power transitions

■ DATA INTEGRITY

– 100,000 Program/Erase cycles

– 10 years Data Retention

■ RoHS COMPLIANCE

– Lead-Free Components are Compliant with the RoHS Directive

■ DEVELOPMENT TOOLS

– Error Correction Code software and hardware models

– Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms

– File System OS Native reference software

– Hardware simulation models

NAND512W3A2CZA6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND512W3A2CZA6E

  • 功能描述

    IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA(13x15)

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

更新时间:2025-5-14 13:44:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+
BGA
23000
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
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2016+
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STMicroelectronics 意法半导体集团

中文资料: 160110条

意法半导体 (STMicroelectronics) 成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎,是一家全球领先的半导体公司。意法半导体专注于设计、制造和销售各种半导体解决方案,产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、通信等领域。 意法半导体的产品包括微控制器、模拟集成电路、功率半导体、传感器等。公司拥有多个研发中心和生产基地,致力于技术创新和研发投入。意法半导体在全球范围内拥有广泛的客户群和合作伙伴,为客户提供高品质的产品和解决方案。 公司的使命是通过半导体技术推动智能化和可持续发展,助力客户取得成功。意法半导体不仅注重商业成功,还注重社会责任、环境保护和可持续经营。企业价值观包括创新、尊重