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NAND08GW3B2AN6E中文资料

厂家型号

NAND08GW3B2AN6E

文件大小

501.64Kbytes

页面数量

58

功能描述

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v

数据手册

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生产厂商

STMicroelectronics

简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

LOGO

NAND08GW3B2AN6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND08GW3B2AN6E

  • 功能描述

    闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-4-27 10:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STMicroelectronics 意法半导体(ST)集团

中文资料: 148302条

意法半导体(ST)公司成立于1987年,是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,从成立之初至今,ST的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自1999年起,ST始终是世界十大半导体公司之一。 整个集团共有员工近50,000名,拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、15主要制造厂,并在36个国家设有78个销售办事处。 公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲区以及新兴市场的总部;公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;亚太区总部设在新加坡;日本的业务则以东京为总部;大中国区总部设在上海,负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。 自1994年12月8日首次完成公开发行股