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NAND04GW3B2BN6F中文资料

厂家型号

NAND04GW3B2BN6F

文件大小

501.64Kbytes

页面数量

58

功能描述

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

NAND04GW3B2BN6F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND04GW3B2BN6F

  • 功能描述

    闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-5 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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