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NAND01GW3B2CN6E中文资料

厂家型号

NAND01GW3B2CN6E

文件大小

711.53Kbytes

页面数量

62

功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

IC FLASH 1GBIT 48TSOP

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

NAND01GW3B2CN6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GW3B2CN6E

  • 功能描述

    IC FLASH 1GBIT 48TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA(13x15)

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

更新时间:2025-10-5 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
25+
TSOP
13800
原装,请咨询
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25+
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