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MJD32B中文资料

厂家型号

MJD32B

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5

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

MJD32B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and MJD32C form complementary NPN-PNP pairs. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES

■ SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

■ ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B/C AND TIP32B/C

APPLICATIONS

■ GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER TRANSISTORS

MJD32B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD32B

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-1 17:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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