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MJD31C中文资料

厂家型号

MJD31C

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9

功能描述

Low voltage NPN power transistor

两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

MJD31C数据手册规格书PDF详情

Description

The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

Features

■ Surface-mounting TO-252 power package in

tape and reel

■ Complementary to the PNP type MJD32C

Application

■ General purpose linear and switching

equipment

MJD31C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD31C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-27 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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