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MJD112数据手册规格书PDF详情
Description
The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.
Features
■ Good hFE linearity
■ High fT frequency
■ Monolithic Darlington configuration with
integrated antiparallel collector-emitter diode
Application
■ Linear and switching industrial equipment
MJD112产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD112
- 功能描述
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025 |
TO-252 |
3200 |
国产南科 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
959 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
32000 |
FAIRCHILD/仙童全新特价MJD112TF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON |
15+ |
原厂原装 |
40000 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
8860 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
ON |
1444+ |
TO-252 |
3500 |
原装正品现货供应56 |
|||
ON |
23+ |
DPAK |
56000 |
||||
ON |
24+ |
TO-252-2 |
85600 |
全新原装现货/假一罚百! |
|||
ON |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
MJD112-TP 价格
参考价格:¥1.5981
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- M29F100B-120XN3TR
- M29F100T-120XN3TR
- M87C257-20C1X
- M88331Y-15K1T
- M88342W-90K1T
- M89131Y-15K1T
- M89141W-15K1T
- M89331W-15K1T
- M9356-RBN6T
- M9356-WBN6T
- M9366-DW6T
- M93C46DW
- M95080-RBN6T
- M95160-BN6T
- M95256-RMN6T/A
- M95320-VBN6T
- M95320-WBN6T
- MC3403P
- MC4558ID
- MDS80
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- MJD127-1
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MJD112 晶体管资料
MJD112别名:MJD112三极管、MJD112晶体管、MJD112晶体三极管
MJD112生产厂家:韩国三星公司
MJD112制作材料:Darl
MJD112性质:低频或音频放大 (LF)
MJD112封装形式:贴片封装
MJD112极限工作电压:
MJD112最大电流允许值:2A
MJD112最大工作频率:<1MHZ或未知
MJD112引脚数:3
MJD112最大耗散功率:20W
MJD112放大倍数:
MJD112图片代号:G-217
MJD112vtest:0
MJD112htest:999900
- MJD112atest:2
MJD112wtest:20
MJD112代换 MJD112用什么型号代替:
STMICROELECTRONICS相关芯片制造商
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