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M29F512中文资料

厂家型号

M29F512

文件大小

136.04Kbytes

页面数量

16

功能描述

512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory

闪存 512K(64Kx8) 45ns

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

M29F512数据手册规格书PDF详情

SUMMARY DESCRIPTION

The M29F512B is a 512 Kbit (64Kb x8) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single 5V supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM.

■ SINGLE 5V±10 SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8µs per Byte typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 24h

M29F512产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M29F512

  • 功能描述

    闪存 512K(64Kx8) 45ns

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-16 16:26:00
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