位置:L6388E > L6388E详情

L6388E中文资料

厂家型号

L6388E

文件大小

219.81Kbytes

页面数量

18

功能描述

High-voltage high and low side driver

功率驱动器IC Hi-Vltg and Lo Side Driver

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

STMICROELECTRONICS

L6388E数据手册规格书PDF详情

Description

The L6388E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology.

It has a Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side(Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V.

The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.

Features

■ High voltage rail up to 600V

■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range

■ Driver current capability:

– 400mA source,

– 650mA sink

■ Switching times 70/40 nsec rise/fall with 1nF load

■ 3.3V, 5V, 15V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresys and pull down

■ Internal bootstrap diode

■ Outputs in phase with inputs

■ Dead time and interlocking function

L6388E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    L6388E

  • 功能描述

    功率驱动器IC Hi-Vltg and Lo Side Driver

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 15:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
8-DIP(0.300 7.62mm)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST/意法
25+
SOP8
918000
明嘉莱只做原装正品现货
ST
2511
SOP
2000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST
23+
5000
原盘原包装,进口原装现货本公司为一般纳税人可开17%
ST
23+
N/A
10000
正规渠道,只有原装!
ST/意法
22+
1000000
ST/意法
25+
SOP-8
32000
ST/意法全新特价L6388ED013TR即刻询购立享优惠#长期有货
ST
24+
DIP
9750
一级代理分销/现货/可长期供应!!
ST
21+
SOIC-8
2500
原装优势现货 欢迎咨询
ST
21+
SOP8
1821
全新原装公司现货

L6388ED013TR 价格

参考价格:¥5.1488

型号:L6388ED013TR 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有L6388E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,L6388E批发/采购报价,L6388E行情走势销售排排榜,L6388E报价。

L6388E相关电子新闻

  • L6388ED013TR 栅极驱动器

    L6388ED013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款栅极驱动器芯片。它是一款高压高低侧驱动器,采用 BCD “离线” 技术制造,能够驱动功率 MOSFET 或 IGBT 器件组成的半桥电路。

    2025-7-4