位置:F6N80 > F6N80详情

F6N80中文资料

厂家型号

F6N80

文件大小

831.19Kbytes

页面数量

15

功能描述

Ultra low gate charge

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

STMICROELECTRONICS

F6N80数据手册规格书PDF详情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

• Industry’s lowest RDS(on)

• Industry’s best figure of merit (FoM)

• Ultra low gate charge

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

更新时间:2025-10-9 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KERSEMI
TO-220F
22+
6000
十年配单,只做原装
DONGHAI
23+
TO-220F
80000
原装正品,一级代理
KERSEMI
23+
TO-220F
8400
专注配单,只做原装进口现货
KERSEMI
25+
TO-TO-220F
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST
25+
TO-220F
16900
原装,请咨询
ST
2022+
42
全新原装 货期两周
ST
19+
TO-220F
500
进口原装现货假一赔万力挺实单
ST
2511
TO-220F
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST/进口原
17+
TO-220F
6200
ST/进口原
24+
TO-220F
5000
全现原装公司现货

F6N80 芯片相关型号