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BDX33B中文资料

厂家型号

BDX33B

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4

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

BDX33B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.

The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.

BDX33B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDX33B

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-25 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
1048
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ST/意法
25+
TO220F
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TO-220
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BDX33BG 价格

参考价格:¥2.0528

型号:BDX33BG 品牌:ON 备注:这里有BDX33B多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BDX33B批发/采购报价,BDX33B行情走势销售排排榜,BDX33B报价。

BDX33B 晶体管资料

  • BDX33B别名:BDX33B三极管、BDX33B晶体管、BDX33B晶体三极管

  • BDX33B生产厂家:美国无线电公司

  • BDX33B制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BDX33B性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BDX33B封装形式:直插封装

  • BDX33B极限工作电压:80V

  • BDX33B最大电流允许值:10A

  • BDX33B最大工作频率:>20MHZ

  • BDX33B引脚数:3

  • BDX33B最大耗散功率:70W

  • BDX33B放大倍数:β>750

  • BDX33B图片代号:B-10

  • BDX33Bvtest:80

  • BDX33Bhtest:20000100

  • BDX33Batest:10

  • BDX33Bwtest:70

  • BDX33B代换 BDX33B用什么型号代替:BD267A,BD647,BD699,BDT63A,BDT65A,BDW93B,YZ25C,