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BD239C中文资料

厂家型号

BD239C

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4

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

BD239C数据手册规格书PDF详情

Description

The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type is the BD240C.

Features

■ NPN transistor

Applications

■ General purpose switching and amplifier transistor

BD239C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD239C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-28 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
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BD239CTU 价格

参考价格:¥1.2443

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