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BD179中文资料

厂家型号

BD179

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5

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN Gen Purpose Sw

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

BD179数据手册规格书PDF详情

Description

The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

Features

■ NPN transistor

Applications

■ General purpose switching

BD179产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD179

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Purpose Sw

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-5 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
17+
TO-126
6200
100%原装正品现货
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BD179G 价格

参考价格:¥1.2879

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