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S2M0120120J中文资料

厂家型号

S2M0120120J

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10

功能描述

1200V SIC POWER MOSFET

数据手册

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生产厂商

SMCDIODE

S2M0120120J数据手册规格书PDF详情

• Positive temperature characteristics, easy to parallel.

• Low on-resistance Typ. RDS(on) = 133 mΩ .

• Fast switching speed and low switching losses.

• Very fast and robust intrinsic body diode.

• Process of non-bright Tin electroplatin

更新时间:2026-7-22 16:01:00
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