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SSFD6035U中文资料
SSFD6035U数据手册规格书PDF详情
Main Features
Advanced MOSFETprocess technology
Special design forPWM, load switching etc
Ultra-low Rdson together with low gate charge
Fast switch and body-diode trr
150℃ operating temperature
Description
It utilizes the optimized chip design to balance the high density and the low on-resistance with highrepetitiveavalanche performance improvement. Based on its excellent efficiency and reliability, the product couldbeusedinpowerinvert,rectifying, energy storage and other application area
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
DPAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
DPAK |
60000 |
全新原装现货 |
|||
S |
DPAK |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
- |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
S |
22+ |
DPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
LUMEX |
25+ |
ThroughHole |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
JST |
22+ |
JST |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
|||
JST/日压 |
21+ |
JST |
25000 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
JST |
24+ |
NA |
598000 |
原装现货假一赔十 |
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- 20062M
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- 341-049-522-104
- 341-049-522-107
- 341-049-522-108
- 342-070-560-212
- 395-062-541-402
- 395-062-541-403
- 395-062-541-404
- 48NAV-2GV6-M2SLASHQ
- 48NAV-2GV6-R
- 7825P8772000
- 837-072-520-802
- 837-072-520-803
- 837-072-520-804
- 837-072-520-807
- 837-072-520-808
- 837-072-520-812
- 887-026-541-802
- 887-026-541-803
- 887-026-541-804
- 887-026-541-807
- 887-026-541-808
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- P91
- P92
- P93
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- P95
- P96
- P97
Silikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子(苏州)有限公司
中文资料: 527条
新硅能微电子(苏州)有限公司由原苏州硅能半导体、知名高校及研究所教授等优秀的功率器件及模块设计团队组成。团队成员具有十数年以上器件及模块设计和应用经验。公司专注于Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品的研发，广泛应用于电源、储能、家电、工业以及新能源汽车等领域。 拥有江苏省功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心，并持有多项发明和实用新型专利。公司具备领先的产品设计和制程开发的核心自主研发能力，致力于为人类美好未来做出贡献。 公司的愿景是成为一流的中国功率半导体企业，其信念是敬天爱人，天道酬勤。使命是让功率更高效，让世界更美好。价值观包括允公允能，惟实励新；至善至精
