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DESCRIPTION
SVSP14N65FJD/T/KD2 is an N-channel enhancement mode high
voltage power MOSFETs produced using Silan’s DPMOS technology.
It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the
design engineers to their power converters with high efficiency, high
power density, and superior thermal behavior. Furthermore, it’s
universal applicable, i.e., suitable for hard and soft switching
topologies.
FEATURES
14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26@VGS=10V
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Silan |
23+ |
TO-247 |
2795 |
现货库存,实单请给接受价格 |
|||
Silan |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
|||
SILAN |
22+ |
PDFN8 |
621 |
原装 |
|||
SILAN/士兰微 |
25+ |
DFN |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-247-3L |
10000 |
原装正品优势供应 |
|||
SILAN(士兰微) |
23+ |
TO-220FJD-3L |
431 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
|||
SILAN(士兰微) |
2025+ |
TO-220FJD-3L |
10560 |
||||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-247-3L |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
|||
BGA |
40 |
||||||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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- NT6XM32M16CG-S2
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- RDE7U3A220J2M1H03A
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- SVSP14N65FJD
- SVSP14N65FJDD2
- SVSP14N65KD2
Datasheet数据表PDF页码索引
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Silan Microelectronics Joint-stock 杭州士兰微电子股份有限公司
士兰微电子股份有限公司(600460)成立于1997年9月,总部位于中国杭州高新技术产业开发区。该公司是一家专注于集成电路芯片设计和半导体微电子产品生产的高新技术企业。2003年3月,公司股票在上海证券交易所上市,成为中国首家在国内上市的集成电路芯片设计企业。在中国电子信息产业快速发展的背景下,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造企业之一,其技术水平、营业规模和盈利能力在国内同行业中处于领先位置。 士兰微电子在杭州钱塘新区建立了集成电路芯片生产线,目前实际月产量达到23万片,在小于和等于6英寸芯片制造能力方面全球排名第二。公司于2017年投产8英寸生产线,成为国内第一家拥有8英