位置：11N65FJHD2 > 11N65FJHD2详情
11N65FJHD2中文资料
11N65FJHD2数据手册规格书PDF详情
GENERAL DESCRIPTION
SVS11N65FJHD2 is an N-channel enhancement mode high voltage
power MOSFETs produced using Silan’s Super Junction MOS
technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It
leads the design engineers to their power converters with high
efficiency, high power density, and superior thermal behavior.
Furthermore, it’s universal applicable, for example. it is suitable for
hard and soft switching topologies.
FEATURES
11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33@VGS=10V
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO-220-3L |
150000 |
挂的就有,常备现货 |
|||
SL |
23+ |
18+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
SL |
23+ |
18+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
PINGWEI(平伟) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
PINGWEI平伟 |
23+ |
TO-252 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
|||
24+ |
N/A |
80000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
TO-220F |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO220F |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
TOSHIBA |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT163-1 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
11N65FJHD2 资料下载更多...
11N65FJHD2 芯片相关型号
- AAC-AB143-V/Q
- ACV-16143-B
- ACV-16143-B/Q
- ACV-16143-C
- ACV-16143-C/Q
- ACV-16143-D
- ACV-16143-D/Q
- ACV-16143-R
- ACV-16143-S
- ACV-16143-S/Q
- ACV-16143-V
- ACV-16143-V/Q
- AMT133Q-0768-1587-S
- AMT133Q-0768-1587-W
- ATS-02E-50-C3-R0
- ATS-04H-81-C1-R0
- ATS-04H-86-C1-R0
- ATS-21B-80-C3-R0
- CLM-9-27-95-36-TC50-F6-2
- CLM-9-27-95-36-TC50-F6-3
- CLM-9-27-95-36-TC60-F7-2
- CLM-9-27-95-36-TC60-F7-3
- KEPAN-41M4
- PTN16-B11225K1C1
- YRM22F2EWGHN
- YRM22F2EWGLN
- YRM22F2EWGNN
- YRM23F2EWGHN
- YRM23F2EWGLN
- YRM23F2EWGNN
SILAN相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
Silan Microelectronics Joint-stock 杭州士兰微电子股份有限公司
中文资料: 2451条
士兰微电子股份有限公司（600460）成立于1997年9月，总部位于中国杭州高新技术产业开发区。该公司是一家专注于集成电路芯片设计和半导体微电子产品生产的高新技术企业。2003年3月，公司股票在上海证券交易所上市，成为中国首家在国内上市的集成电路芯片设计企业。在中国电子信息产业快速发展的背景下，士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造企业之一，其技术水平、营业规模和盈利能力在国内同行业中处于领先位置。 士兰微电子在杭州钱塘新区建立了集成电路芯片生产线，目前实际月产量达到23万片，在小于和等于6英寸芯片制造能力方面全球排名第二。公司于2017年投产8英寸生产线，成为国内第一家拥有8英
