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LPT16ED中文资料

厂家型号

LPT16ED

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333.16Kbytes

页面数量

5

功能描述

30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final

TRANSISTOR NPN BIPOLAR SIGE

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

SIGE SEMICONDUCTOR, INC.

简称

SiGe

中文名称

官网

LOGO

LPT16ED产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LPT16ED

  • 功能描述

    TRANSISTOR NPN BIPOLAR SIGE

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    4.7V 频率 -

  • 转换

    47GHz

  • 噪声系数(dB典型值@频率)

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    160 @ 25mA,3V 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    45mA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商设备封装

    4-TSFP

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    BFP 740FESD E6327DKR

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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中文资料: 207条

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