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位置：Q67000-S279 > Q67000-S279详情

厂家型号	Q67000-S279
文件大小	167.17Kbytes
页面数量	5页
功能描述	IGBT Transistor (N channel MOS input voltage-controlled High switch speed Very low tail current) IGBT Transistor(N channel MOS input voltage-controlled High switch speed Very low tail current)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	SIEMENS

IGBT Transistor

Preliminary Data

● VCE 1000 V

● I C 2.5 A

● N channel

● MOS input (voltage-controlled)

● High switch speed

● Very low tail current

● Latch-up free

● Suitable freewheeling diode BAX 280

类型
描述
型号
Q67000-S279
制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
IGBT Transistor(N channel MOS input voltage-controlled High switch speed Very low tail current)

Q67000-S279供应商...

更新时间：2026-2-18 9:20:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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