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BUZ31L中文资料

BUZ31L
厂家型号

BUZ31L
文件大小

194.68Kbytes
页面数量

9页
功能描述

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)

MOSFET N-CH 200V 13.5A
数据手册

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生产厂商

SIEMENS

相近规格书

BUZ31L数据手册规格书PDF详情

SIPMOS ® Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

• Logic Level

BUZ31L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUZ31L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 13.5A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

BUZ31L供应商...

更新时间：2025-10-31 18:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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