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BSS110中文资料

BSS110
厂家型号

BSS110
文件大小

80.51Kbytes
页面数量

7页
功能描述

SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

MOSFET DISC BY MFG 2/02
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商

SIEMENS

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BSS110数据手册规格书PDF详情

SIPMOS ® Small-Signal Transistor

• P channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• VGS(th) = -0.8...-2.0 V

BSS110产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSS110

  • 功能描述

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

BSS110供应商...

更新时间：2025-11-1 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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