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BSM75GD120DN2中文资料

厂家型号

BSM75GD120DN2

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功能描述

IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE

数据手册

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生产厂商

SIEMENS

BSM75GD120DN2数据手册规格书PDF详情

• Solderable Power module

• 3-phase full-bridge

• Including fast free-wheel diodes

• Package with insulated metal base plate

BSM75GD120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM75GD120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-13 16:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG-ECONO3-1
914
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
EUPEC
08+
IGBT
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23+
55
0
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
Infineon Technologies
24+
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07+
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23+
25900
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INFINEON
2025+
IGBT模块
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