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BSM35GB120DN2中文资料

厂家型号

BSM35GB120DN2

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功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area)

IGBT 模块 1200V 35A DUAL

数据手册

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生产厂商

SIEMENS

BSM35GB120DN2数据手册规格书PDF详情

IGBT Power Module

Preliminary data

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Doubled diode area

• Package with insulated metal base plate

BSM35GB120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM35GB120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 35A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-31 18:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIEMENS
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