位置:BSM150GB120DN2 > BSM150GB120DN2详情

BSM150GB120DN2中文资料

厂家型号

BSM150GB120DN2

文件大小

131.29Kbytes

页面数量

9

功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT 模块 1200V 150A DUAL

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

SIEMENS

BSM150GB120DN2数据手册规格书PDF详情

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

BSM150GB120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM150GB120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 150A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-23 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
19048
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
EUPEC
08+
IGBT
77
绝对全新原装强调只做全新原装现
INFINEON
15+
模块
9980
大量原装进口现货,一手货源,一站式服务,可开17%增
IGBT
23+
55
0
Infineon Technologies
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
Infineon(英飞凌)
23+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
SEMIKRON
23+
模块
620
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!
25+
模块原厂原封装
18000
原厂直接发货进口原装

BSM150GB120DN2相关电子新闻