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BDS29C中文资料
BDS29C产品属性
- 类型
描述
- 型号
BDS29C
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93M
更新时间：2026-1-30 10:21:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PML |
10000 |
全新 |
||||
TE |
25+ |
电阻器 |
67 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TE Connectivity |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
2003 |
原装现货 |
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- SSF-LXH100MYD
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- SSF-LXH103SRD
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- TS2950CTA3
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BDS29C 晶体管资料
BDS29C别名：BDS29C三极管、BDS29C晶体管、BDS29C晶体三极管
BDS29C生产厂家：塞麦拉布公司
BDS29C制作材料：Si-NPN
BDS29C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
BDS29C封装形式：直插封装
BDS29C极限工作电压：120V
BDS29C最大电流允许值：30A
BDS29C最大工作频率：<1MHZ或未知
BDS29C引脚数：3
BDS29C最大耗散功率：150W
BDS29C放大倍数：
BDS29C图片代号：B-62
BDS29Cvtest：120
BDS29Chtest：999900
- BDS29Catest：30
BDS29Cwtest：150
BDS29C代换 BDS29C用什么型号代替：
SEME-LAB相关芯片制造商
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