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ENA1161中文资料

厂家型号

ENA1161

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5

功能描述

N-Channel Silicon MOSFET, Schottky Barrier Diode, General-Purpose Switching Device Applications

数据手册

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生产厂商

SANYO

ENA1161数据手册规格书PDF详情

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET

SBD : Schottky Barrier Diode

Features

• Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting.

• [MOSFET]

• Low ON-resistance

• Ultrahigh-speed switching

• 2.5V drive.

• [SBD]

• Short reverse recovery time (trr max=10ns).

• Low forward voltage (VF max=0.55V).

ENA1161产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ENA1161

  • 制造商

    SANYO

  • 制造商全称

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述

    N-Channel Silicon MOSFET, Schottky Barrier Diode, General-Purpose Switching Device Applications

更新时间:2025-11-1 16:23:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
rf-bay
24+
模块
400
RFbay
700
SIS
23+
BGA
5000
原装正品,假一罚十
SIS
22+
BGA
2000
进口原装!现货库存
SIS
23+
BGA
33888
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
VB
25+
SC-88A
17585
原装正品,假一罚十!
VB
25+
SC-88A
17585
原装正品,假一罚十!
VBSEMI/台湾微碧
23+
SC-88A
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBSEMI/台湾微碧
24+
SC-88A
60000
BOUR
23+
1010