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K7P321866M中文资料

厂家型号

K7P321866M

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447.45Kbytes

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14

功能描述

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

数据手册

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生产厂商

SAMSUNG

K7P321866M数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• 1Mx36 or 2Mx18 Organizations.

• 2.5V Core/1.5V Output Power Supply (1.9V max VDDQ).

• HSTL Input and Output Levels.

• Differential, HSTL Clock Inputs K, K.

• Synchronous Read and Write Operation

• Registered Input and Registered Output

• Internal Pipeline Latches to Support Late Write.

• Byte Write Capability(four byte write selects, one for each 9bits)

• Synchronous or Asynchronous Output Enable.

• Power Down Mode via ZZ Signal.

• Programmable Impedance Output Drivers.

• JTAG 1149.1 Compatible Test Access port.

• 119(7x17)Pin Ball Grid Array Package(14mmx22mm).

K7P321866M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K7P321866M

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    1Mx36 & 2Mx18 SRAM

更新时间:2026-2-22 11:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
25+
BGA
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SAMSUNG
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