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K7N321801M-QC20中文资料

厂家型号

K7N321801M-QC20

文件大小

211.07Kbytes

页面数量

18

功能描述

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM

数据手册

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生产厂商

SAMSUNG

K7N321801M-QC20数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

The K7N323601M and K7N321801M are 37,748,736-bits Synchronous Static SRAMs.

The NtRAMTM, or No Turnaround Random Access Memory utilizes all the bandwidth in any combination of operating cycles.

Address, data inputs, and all control signals except output enable and linear burst order are synchronized to input clock.

FEATURES

• 3.3V+0.165V/-0.165V Power Supply.

• I/O Supply Voltage 3.3V+0.165V/-0.165V for 3.3V I/O or 2.5V+0.4V/-0.125V for 2.5V I/O.

• Byte Writable Function.

• Enable clock and suspend operation.

• Single READ/WRITE control pin.

• Self-Timed Write Cycle.

• Three Chip Enable for simple depth expansion with no data-contention .

• A interleaved burst or a linear burst mode.

• Asynchronous output enable control.

• Power Down mode.

• 100-TQFP-1420A .

• 165FBGA(11x15 ball aray) with body size of 15mmx17mm.

K7N321801M-QC20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K7N321801M-QC20

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM

更新时间:2025-11-28 17:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
6000
面议
19
TQFP
SAMSUNG
1923+
BGAQFP
488
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25+
QFP
3200
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