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IRF9531数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved inductive ruggedness
• Fsat switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
更新时间：2025-10-10 16:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
200 |
||||
S |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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VBSEMI |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBSEMI |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VB |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
SEC |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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VBSEMI |
23+ |
TO-220F |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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VBSEMI |
24+ |
NA/ |
3520 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
1501 |
原装现货 |
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