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DDRSDRAM1111中文资料

厂家型号

DDRSDRAM1111

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53

功能描述

DDR SDRAM Specification Version 1.0

数据手册

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生产厂商

SAMSUNG

DDRSDRAM1111数据手册规格书PDF详情

Features

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

• Data I/O transactions on both edges of data strobe

• Edge aligned data output, center aligned data input

• LDM,UDM/DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 15.6us refresh interval(4K/64ms refresh)

• Maximum burst refresh cycle : 8

• 66pin TSOP II package

DDRSDRAM1111产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DDRSDRAM1111

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    DDR SDRAM Specification Version 1.0

更新时间:2026-2-3 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAM
24+
16
宏澤电子
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
LTK
25+
320
普通
TE/泰科
2508+
/
330135
一级代理,原装现货
HUAYINC
24+
SMD
598000
原装现货假一赔十
NEC
2025+
SS0P30
3785
全新原厂原装产品、公司现货销售
C&KCOMPONENT
23+
65480
C&K
24+
65200
C&K
25+
开关元件
2896
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C&K
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货