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256MBDDRSDRAM中文资料

厂家型号

256MBDDRSDRAM

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658.68Kbytes

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51

功能描述

DDR SDRAM Specification Version 0.3

数据手册

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生产厂商

SAMSUNG

256MBDDRSDRAM数据手册规格书PDF详情

Key Features

Features

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

• Data I/O transactions on both edges of data strobe

• Edge aligned data output, center aligned data input

• LDM,UDM/DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

• Maximum burst refresh cycle : 8

• 66pin TSOP II package

256MBDDRSDRAM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    256MBDDRSDRAM

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    DDR SDRAM Specification Version 0.3

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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