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SZ60D0

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 3.3 - 200 Volts PD : 5 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

EIC

SZ60D0

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE RANGE: 3.3 - 200 V POWER: 5.0 Watts Features • Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts • High peak reverse power dissipation • High reliability • Low leakage current

SUNMATE

森美特

SZ60D0

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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SUNMATE

森美特

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SZ60D0

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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EIC

SZ60D0

Surface Mount Zener diode

SUNMATE

森美特

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESAS

瑞萨

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC=22A · High Current Capability · High Input Impedance APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC

ISC

无锡固电

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating and

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating an

RENESAS

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SZ60D0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SZ60D0

  • 制造商

    EIC

  • 制造商全称

    EIC discrete Semiconductors

  • 功能描述

    SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

更新时间:2025-11-1 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EIC
23+
SMB
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
EIC
20+
DO-214AA
89680
现货很近!原厂很远!只做原装
EIC
23+
DO-214AA
50000
全新原装正品现货,支持订货
ON/安森美
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
EIC
新年份
SMB(DO-214AA)
89000
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
EIC
24+
SMB(DO-214AA)
18800
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!
EIC
2019+PB
SMB(DO-214AA)
89000
原装正品 可含税交易
EIC
20+
SMB(DO-214AA)
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
EIC
24+
DO-214AA
60000
全新原装现货

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  • SZMMBZ15VDLT1G

    进口代理

    2022-10-31
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    2021-10-8
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