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85Watts,860-900MHzCellularRadioRFPowerTransistor

Description The20111isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationfrom860to900MHz.Ratedat85wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareused

EricssonEricsson Microelectronics

爱立信

Ericsson

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIPTB20111isDesignedforGeneralPurposeClassABPowerAmplifierApplicationsupto900MHz. FEATURES: •25W,860-900MHz •SiliconNitridePassivated •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI
更新时间:2024-6-20 13:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ERICSSON
800
ERICSSON
2023+
射频管
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
INFINEON/英飞凌
23+
200
现货供应
ERICSSON/爱立信
22+
NA
1120
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
2017+
NA
28562
只做原装正品假一赔十!
Infineon
22+
SMD
2789
全新原装自家现货!价格优势!
INFINEON
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原厂封装
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
INFINEON
23+
NA
8000
只做原装现货

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