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SX50P02DF

-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description The SX50P02DF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Application Battery protection Load switch

SXSEMI

瞬芯半导体

P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS ‐20V RDSON (MAX.) 44mΩ ID ‐4A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ESD Protection – up to 2KV HBM

EXCELLIANCE

杰力科技

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.18472 Mbytes Page:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-12-15 20:00:00
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