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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SW065R68E7T | N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.3mΩ)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 75nC) Improved dv/dt Capability 100 Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter General Description This power MOSFET is produced with advanced technol | SEMIPOWER 芯派科技 | ||
SW065R68E7T | MOSFET | SEMIPOWER 芯派科技 | ||
N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.3mΩ)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 75nC) Improved dv/dt Capability 100 Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter General Description This power MOSFET is produced with advanced technol | SEMIPOWER 芯派科技 |
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2019-11-11
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