型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SUP60N06-18

N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET 175 °C Rated Maximum Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFETs Product Summary    V(BR)DSS   60 V    rDS(on)    0.018 Ω    ID         60 A

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUP60N06-18

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET 175 °C Rated Maximum Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFETs Product Summary    V(BR)DSS   60 V    rDS(on)    0.018 Ω    ID         60 A

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威世科技

isc N-Channel MOSFET Transistor

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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

SUP60N06-18产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUP60N06-18

  • 功能描述

    MOSFET 60V 60A 120W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-2 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
16449
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VISHAY
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8000
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17+
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6200
Vishay(威世)
23+
N/A
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9800
原装进口公司现货假一赔百
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500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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只做原装正品

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