SUD19P06-60-GE3价格

参考价格:¥3.0707

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SUD19P06-60-GE3

P-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:902.6 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SUD19P06-60-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUD19P06-60-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 23:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装
24+
标准
44641
热卖原装进口
VISHAY
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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TO-252-2(DPAK)
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原装正品,支持实单

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