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SUB85N10-10

N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature  

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SUB85N10-10

N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

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SUB85N10-10

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

SUB85N10-10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

SUB85N10-10

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

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N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

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N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

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SUB85N10-10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB85N10-10

  • 功能描述

    MOSFET 100V 85A 250W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-2 10:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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代理全新原装现货,价格优势

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