型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SUB70N03-09P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

SUB70N03-09P

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET PWM Optimized

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB70N03-09P

N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

文件:73.29 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

文件:48 Kbytes Page:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB70N03-09P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB70N03-09P

  • 功能描述

    MOSFET 30V 70A 93W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 13:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
8000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VISHAY
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
VISHAY
24+
TO-263
6430
原装现货/欢迎来电咨询
Vishay
17+
TO-263
6200
VIHSAY/SILICONIX
24+
SMD
7000
新进库存/原装
VISHAY
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
23+
TO-263
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
VISHAY
25+23+
TO263
74453
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
VISHAY/威世
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
SILICONIX
SOT263
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

SUB70N03-09P数据表相关新闻