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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STWA38N65DM6AG | Automotive-grade N-channel 650 V, 68 m typ., 42 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Features • AEC-Q101 qualified • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STWA38N65DM6AG | 汽车级N沟道650 V、68 mOhm典型值、42 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247长引线封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
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ST/意法半导体 |
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TO-247-3 |
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
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十年沉淀唯有原装 |
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ST/意法 |
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QFN |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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TO-247-3 |
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ST |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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原装正品 支持实单
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製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
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2020-9-27STW8Q14C
STW8Q14C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-15
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