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STW27N60M2-EP

Very low turn-off switching losses

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW27N60M2-EP

N沟道600 V、0.150 Ohm典型值、20 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-247封装

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 163mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.150 廓 typ., 20 A MDmesh??M2 EP Power MOSFET in TO-220FP package

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意法半导体

Very low turn-off switching losses

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意法半导体

更新时间:2025-9-27 11:30:00
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