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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STW21NM60N | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.22Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STW21NM60N | N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STW21NM60N | N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STW21NM60N | MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Description The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body d | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：407.25 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-247 package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low input capacitance and gate charge 文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.22Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low input capacitance and gate charge 文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STW21NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW21NM60N
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2016+ |
TO-247 |
3000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
ST |
17+ |
TO-247 |
6200 |
||||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-247-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
|||
ST |
25+ |
TO247 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ST/意法半导体 |
2022+ |
TO-247-3 |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
|||
ST |
24+ |
TO-247 |
60000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST |
17+ |
TO-247 |
26791 |
进口原管现货/30 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-3P |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
|||
ST |
24+ |
TO-247-3 |
902 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4450 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
STW21NM60N规格书下载地址
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2022-6-27STW28NM60ND只做原装正品货
焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务，解决您的BOM表采购之痛，让您采购无忧！
2020-12-2STW26NM60N
STW26NM60N，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-21STW20NM60FD
STW20NM60FD
2019-6-18
DdatasheetPDF页码索引
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