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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STW16NB60 | N-CHANNEL 600V - 0.3ohm - 16A TO-247 PowerMesh??MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprieraty edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STW16NB60 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.35Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
STW16NB60 | N-CHANNEL 600V - 0.3ohm - 16A TO-247 PowerMesh™ MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STW16NB60产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW16NB60
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-3P |
3000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-247 |
194 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ST |
25+ |
标准封装 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
ST |
19+ |
TO-3P |
38000 |
||||
ST |
24+ |
TO-247 |
8500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST |
17+ |
TO-3P |
6200 |
||||
ST |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
ST |
24+ |
TO-247-3 |
538 |
||||
ADI |
23+ |
TO-247 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ST |
2447 |
TO-3P |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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