型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STW15N80K5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.375Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STW15N80K5

N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW15N80K5

N-channel 800 V, 0.3 ohm typ., 14 A SuperMESH 5 Power MOSFET

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.375Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.375Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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意法半导体

STW15N80K5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW15N80K5

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr SuperMESH V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICRO
25+
N/A
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ST/意法
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