型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STW12NA50

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance. ■ TYPICAL RDS(

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW12NA50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=11.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STW12NA50

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW12NA50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW12NA50

  • 功能描述

    MOSFET REORD 511-STW14NB50 TO-247 N-CH 12A 500V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
16449
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST
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16900
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原装现货
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