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STS5P3LLH6

P-channel 30 V, 0.048 ??typ., 5 A STripFET??H6 DeepGATE??Power MOSFET in an SO-8 package

Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features • Very low on-resistance RDS(on) • Very low gate charge • High avalanche rugge

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS5P3LLH6

P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、5 A STripFET H6功率MOSFET,SO-8封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-11-22 23:00:00
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    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STS5N15F4 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装:2500 封装:8-SOIC

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  • STS12NH3LL 专营MOS长期供应

    1 Channel P-Channel MOSFET , SMD/SMT N-Channel 2 A MOSFET , P-Channel MOSFET 25 V MOSFET , TO-247AC-3 N-Channel MOSFET , TO-252-3 SMD/SMT 1 Channel P-Channel 58 W MOSFET , 2 Channel N-Channel 40 A 30 V MOSFET

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