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STS10P4LLF6

P-channel 40 V, 0.0125 廓 typ., 10 A, StripFET??F6 Power MOSFET in SO-8 package

Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness 

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS10P4LLF6

P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS10P4LLF6

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-1-28 23:00:00
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